p型和n型是半导体器件中常见的两种材料类型。它们的生产工艺有以下差别：

材料选择：p型半导体通常使用硼（B）等杂质作为掺杂剂，而n型半导体通常使用磷（P）等杂质作为掺杂剂。

掺杂过程：p型半导体的掺杂过程通常是在硅晶片表面涂覆含有掺杂剂的液体，然后加热使其扩散到硅晶片内部。而n型半导体的掺杂过程则是使用气相掺杂技术，将掺杂剂通过气相输送到晶片表面，然后在高温下扩散到晶片内部。

清洗工艺：在掺杂结束后，需要对晶片进行清洗处理。p型半导体通常使用酸性清洗液进行清洗，而n型半导体则使用碱性清洗液进行清洗。

测试工艺：最后，需要对半导体进行测试，以确保其性能符合要求。在测试过程中，p型半导体通常需要进行阳极极化测试，而n型半导体则需要进行阴极极化测试。

总的来说，p型和n型半导体的生产工艺有一些差别，但都是基于相似的原理和技术实现的。这些差别主要是由于它们的材料和掺杂剂不同，以及对应的工艺流程略有不同。